hm628511hi 序列
4m 高 速 sram (512-kword
×
8-位)
ade-203-1035a (z)
rev. 1.0
apr. 15, 1999
描述
这 hm628511hi 序列 是 一个 4-mbit 高 速 静态的 内存 有组织的 512-k 文字
×
8-位. 它 有 认识到
高 速 进入 时间 用 employing cmos 处理 (4-晶体管 + 2-poly 电阻 记忆 cell)和 高
速 电路 designing 技术. 它 是 大多数 适合的 为 这 应用 这个 需要 高 速, 高
密度 记忆 和 宽 位 宽度 配置, 此类 作 cache 和 缓存区 记忆 在 系统. 它 是 packaged
在 400-mil 36-管脚 塑料 soj.
特性
•
单独的 5.0 v 供应 : 5.0 v
±
10 %
•
进入 时间 12 /15 ns (最大值)
•
完全地 静态的 记忆
非 时钟 或者 定时 strobe 必需的
•
equal 进入 和 循环 时间
•
直接地 ttl 兼容
所有 输入 和 输出
•
运行 电流 : 160 / 140 毫安 (最大值)
•
ttl 备用物品 电流 : 60 / 50 毫安 (最大值)
•
cmos 备用物品 电流 : 5 毫安 (最大值)
•
中心 v
CC
和 v
SS
类型 引脚
•
温度 范围: –40 至 85
°
C