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资料编号:38119
 
资料名称:2N5115JAN
 
文件大小: 28.53K
   
说明
 
介绍:
P-Channel JFETs
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2N5115JAN的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2n5114jan/jantx/jantxv 系列
vishay siliconix
文件 号码: 70261
s-04030—rev. e?, 04-六月-01
www.vishay.com
9-1
p沟道 jfets
2n5114jan/jantx/jantxv
2n5115jan/jantx/jantxv
2n5116jan/jantx/jantxv

零件 号码 v
gs(关)
(v)
ds(开启)
最大值 (
)
d(关)
典型值 (pa) t
开启
2N5114 5 至 10 75 –10 16
2N5115 3 至 6 100 –10 30
2N5116 1 至 4 150 –10 42
  
低 开启-电阻: 2n5114 &指示灯;75
快 switching—t
开启
: 16 ns
高 关-isolation—i
d(关)
: –10 pa
低 电容: 6 pf
低 插入 损失
低 错误 电压
高速 模拟 电路 业绩
可忽略不计 “off-错误,” 优秀 准确度
不错 频率 响应
消除 附加 缓冲
模拟 开关
斩波器
采样和保持
正常情况下 “on” 开关
电流 限制器

这 2n5114jan/jantx/jantxv 系列 由 的
p沟道 jfet 模拟 开关 设计 至 提供 低
开启-电阻, 不错 关-隔离, 和 快 开关. 这些
jfets 是 优化 用于 使用 入点 互补 开关
应用程序 与 这 vishay siliconix 2n4856a 系列.
至-206aa
(至-18)
s
d
顶部 查看
g
案例
1
23

栅极-漏极 电压 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
栅极-源极 电压 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
闸门 电流 –50 ma. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –65 至 200
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
操作 接合点 温度 –55 至 200
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
铅 温度 (
1
/
16
” 从 案例 用于 10 秒.) 300
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 耗散
一个
500 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
备注
一个. 降额 3 mw/
c 以上 25
c
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