特点
直接 更换用于 siliconix 2n5114
低 开启 电阻 75
Ω
低 电容 6pF
绝对 最大值 额定值
1
@ 25 °c (除非 否则 声明)
最大值 温度
存储 温度 -55 至 200°c
接合点 操作 温度 -55 至 200°c
最大值 电源耗散
连续 电源 耗散 500mW
最大值 电流
闸门 电流 -50ma
最大值 电压
闸门 至 排水管 30V
闸门 至 来源 30V
静态 电气 特性 @25 °c (除非 否则 声明)
2N5114 2N5115 2N5116
sym. 特性 典型值
最小 最大值 最小 最大值 最小 最大值
单位 条件
BV
GSS
闸门 至 来源 击穿 电压 30 30 30 我
g
= 1µa, v
ds
= 0v
v
gs(关)
闸门 至 来源 截止 电压 5 10 3 6 1 4 v
ds
= -15v, 我
d
= -1na
v
gs(f)
闸门 至 来源 前进 电压年龄 -0.7 -1 -1 -1 我
g
= -1ma, v
ds
= 0v
-1.0 -1.3 v
gs
= 0v, 我
d
= -15ma
-0.7 -0.8 v
gs
= 0v, 我
d
= -7ma
v
ds(开启)
排水管 至 来源 开启 电压
-0.5 -0.6
v
v
gs
= 0v, 我
d
= -3ma
-30 -90 v
ds
= -18v, v
gs
= 0v
我
DSS
排水管 至 来源饱和度 电流
2
-15 -60 -5 -25
ma
v
ds
= -15v, v
gs
= 0v
我
GSS
闸门 泄漏 电流 5 500 500 500 v
gs
= 20v, v
ds
= 0v
我
g
闸门 操作 电流 -5 v
dg
= -15v, 我
d
= -1ma
-10 -500 v
ds
= -15v, v
gs
= 12v
-10 -500 v
ds
= -15v, v
gs
= 7v
我
d(关)
排水管 截止 电流
-10 -500
pa
v
ds
= -15v, v
gs
= 5v
右
ds(开启)
排水管 至 来源 开启 电阻 75 100 150
Ω
v
gs
= 0v, 我
d
= -1ma
g
s
d
2
1
3
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至-18
线性 综合 系统s
2n5114 系列
单独 p沟道 jfet
线性 综合 系统s
• 4042 clipper court • fremont, ca 94538 • 电话: 510 490-9160 • 传真: 510 353-0261
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