1
晶体管
2sc1383, 2sc1384
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-频率 电源 放大器 和 驱动器 放大器
complementary 至 2sa683 和 2sa684
■
特性
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
complementary 一双 和 2sa683 和 2sa684.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至
根基 电压
集电级 至
发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:发射级
2:集电级
3:根基
eiaj:sc–51
to–92l 包装
5.9
±
0.2
2.54
±
0.15
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8.6
±
0.2
0.7
+0.3
–0.2
13.5
±
0.53.2
0.45
+0.2
–0.1
1.271.27
0.45
+0.2
–0.1
132
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
30
60
25
50
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
2SC1383
2SC1384
2SC1383
2SC1384
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基
电压
集电级 至 发射级
电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= 20v, i
E
= 0
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 10v, i
C
= 500ma
*2
V
CE
= 5v, i
B
= 1a
*2
I
C
= 500ma, i
B
= 50ma
*2
I
C
= 500ma, i
B
= 50ma
*2
V
CB
= 10v, i
E
= –50ma, f = 200mhz
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
30
60
25
50
5
85
50
典型值
160
100
0.2
0.85
200
11
最大值
0.1
340
0.4
1.2
20
单位
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
pF
2SC1383
2SC1384
2SC1383
2SC1384
*1
h
FE1
分级 分类
分级 Q R S
h
FE1
85 ~ 170 120 ~ 240 170 ~ 340
*2
脉冲波 度量
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