TrenchFET
电源 场效应晶体管
快 切换
直流-直流 转换
异步的 buck 转换器
电压 反相器
Si4433DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71663
s-04245—rev. 一个, 16-jul-01
www.vishay.com
1
p-频道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.110 @ v
GS
= –4.5 v
–3.9
–20
0.160 @ v
GS
= –2.5 v –3.2
0.240 @ v
GS
= –1.8 v –2.6
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
–20
门-源 电压 V
GS
8
V
一个
T
一个
= 25
C
–3.9
–2.9
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
–2.8 –2.1
搏动 流 电流 I
DM
–10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–2.1 –1.2
T
一个
= 25
C 2.5 1.4
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 40 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
75 90
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
19 25
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.