Si4965DY
vishay siliconix
文档 号码: 70826
s-31989—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
1
双 p-频道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.021 @ v
GS
=-4.5 v -8.0
-8
0.027 @ v
GS
=-2.5 v -7.0
0.040 @ v
GS
=-1.8 v -5.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
p-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4965DY
si4965dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
-8
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
-8.0
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
-6.4
一个
搏动 流 电流 I
DM
-30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
-1.7
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
2.0
W最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.3
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面 至 包围的
一个
t
10 秒
R
62.5
c/w最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
93
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
10 秒.