特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新 低 热的 阻抗 powerpak
包装
双 场效应晶体管 为 空间 savings
产品
同步的 buck shoot-通过 resistant
优化 为 primary 一侧 转变
Si7942DP
vishay siliconix
文档号码: 72118
s-03373—rev.一个, 03-三月-03
www.vishay.com
1
双 n-频道 100-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
100
0.049 @ v
GS
= 10 v 5.9
100
0.060 @ v
GS
= 6 v 5.5
n-频道 场效应晶体管
D
1
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
D
2
G
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
6.15 mm
5.15 mm
bottom 视图
powerpak 所以-8
订货信息: si7942dp-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
100
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
5.9 3.8
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
4.7 3.0
搏动 流 电流 I
DM
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.9 1.2
单独的 avalanche 电流 l = 0.1 mh I
作
20
单独的 avalanche 活力 E
作
20 mJ
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.5 1.4
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.2 0.9
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
26 35
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
60 85
c/w
最大 接合面-至-情况 (流) 稳步的 状态 R
thJC
2.2 2.7
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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