首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:39648
 
资料名称:2SK1177
 
文件大小: 34.19K
   
说明
 
介绍:
MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
绝对 最大 比率 电的 特性
标识 比率 单位
V
DSS
500 V
(br) dss
500 V I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0VV
V
GSS
±
20 I
GSS
±
500 nA V
GS
=
±
20VV
I
D
±
2.5 I
DSS
250
µ
AV
DS
= 500v, v
GS
=0V一个
I
d (脉冲波)
±
10 (tch 150
º
c)
(ta =25
º
c) (ta =25
º
c)
V
TH
2.0 4.0 V V
DS
= 10v, i
D
=250
µ
AA
P
D
30 (tc = 25
º
c) Re
(yfs)
1.5 2.3 S V
DS
= 10v, i
D
=1.4aW
E
200 R
ds (在)
2.6 3.0
V
GS
= 10v, i
D
=1.4amJ
Tch 150
*
: v
DD
= 50v, l = 60mh, i
L
= 2.5a, unclamped,
看 图示 1 在 页 5.
Ciss 350 pF
V
DS
= 25v, f = 1.0mhz,
V
GS
=0V
I
D
= 1.4a, v
DD
=250v,
V
GS
=10v,
看 图示 2 在 页 5.
º
C
Tstg
55 至 +150 Coss 54 pF
º
C
t
50 ns
t
140 ns
标识 单位 情况
比率
典型值 maxmin
8
*
01020
3.0
2.0
1.0
0
5.5v
5V
v 10v
GS
=
0
0
1.0 2.0 3.0
1
2
3
4
5
50
0
0 50 100
150
1
2
3
4
5
6
2
1.0
520
0
2.0
3.0
v 10v
DS
=
25
º
C
125
º
C
0.05
0.3
0.1 0.5 1 5
0.5
1
5
10
v 10v
DS
=
25
º
C
125
º
C
0
10
10 20 30 40 50
50
100
500
1000
v 0v
GS
=
f 1mhz
=
Ciss
Coss
Crss
3
0.03
5 10 50 100 500 1000
0.1
0.5
1
5
10
20
(tc =25
º
c)
I
D
(脉冲波) 最大值
D
i 最大值
1m
s
100
µ
s
D
C
O
P
E
R
ATIO
N
R
ds (在)
0
10
20
30
0 50 100 150
0
0 0.5 1.0 1.5
1.0
2.0
3.0
v 0v
GS
=
5v,10v
0246810
0
4
6
8
10
i 1.5a
D
=
v 10v
GS
=
i 1.5a
D
=
R
DS (在)
(
) r
DS (在)
(
)
Re
(yfs)
(s)
电容 (pf)
ta (
º
c)
V
DS
(v)
t 55
º
C
C
=
t 55
º
C
C
=
限制
和 极大的 散热器
没有 散热器
v 4.5v
GS
=
10V
2
10
i 2.5a
D
=
5
2SK1177
外部 维度
1......fm20
V
DS
I
D
特性
I
D
(yfs)
特性
V
DS
电容
SD
I
DR
特性 Ta
P
D
特性
V
GS
V
DS
特性 T
C
R
ds (在)
特性
V
GS
I
D
特性 I
D
R
ds (在)
特性
V
DS
(v)v
DS
(v) V
SD
(v)
I
DR
(一个)
I
D
(一个)
P
D
(w)
tc (
º
c)v
GS
(v)i
D
(一个)
V
GS
(v)v
DS
(v) I
D
(一个)
I
D
(一个)
I
D
(一个)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com