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资料编号:39649
 
资料名称:2SK1178
 
文件大小: 34.29K
   
说明
 
介绍:
MOSFET
 
 


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1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1178
绝对 最大 比率 电的 特性
外部 维度
1 ...... fm20
标识 比率 单位
V
DSS
500 V
(br) dss
500 V I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0VV
V
GSS
±
20 I
GSS
±
500 nA V
GS
=
±
20VV
I
D
±
4.0 I
DSS
250
µ
AV
DS
= 500v, v
GS
=0V一个
I
d (脉冲波)
(ta =25
º
c) (ta = 25
º
c)
V
TH
2.0 4.0 V V
DS
= 10v, i
D
=250
µ
AA
P
D
35 (tc = 25
º
c) Re
(yfs)
2.4 3.7 S V
DS
= 10v, i
D
=2.0aW
E
260 R
ds (在)
1.3 1.5
V
GS
= 10v, i
D
=2.0amJ
Tch 150
*
: v
DD
= 50v, l = 28mh, i
L
= 4.0a, unclamped,
看 图示 1 在 页 5.
Ciss 610 pF
V
DS
= 25v, f = 1.0mhz,
V
GS
=0V
I
D
= 2.0a, v
DD
=250v,
V
GS
= 10v,
看 图示 2 在 页 5.
º
C
Tstg
55 至 +150 Coss 91 pF
º
C
t
50 ns
t
120 ns
标识 单位 情况
比率
典型值 maxmin
9
*
01020
5
3
1
0
6V
5.5v
5V
v 10v
GS
=
0
0
12 4
0.5
1.0
1.5
2.0
50
0
0 50 100
150
1
2
4
5
2
1
510
0
2
5
v 10v
DS
=
25
º
C
125
º
C
0.05
0.3
0.1 0.5 1 5
0.5
1
5
10
v 10v
DS
=
25
º
C
125
º
C
0
10
10 20 30 40 50
50
100
500
1000
3000
v 0v
GS
=
f 1mhz
=
Ciss
Coss
Crss
3
0.05
5 10 50 100 500 1000
0.1
0.5
1
5
10
50
I
D
(脉冲波) 最大值
D
i 最大值
100
µ
s
直流 运作
1ms (1shot)
0
10
20
30
40
0 50 100 150
0
0 0.5 1.5
1
2
5
v 0v
GS
=
5v,10v
0246810
0
4
6
8
10
i 4a
D
=
i 2a
D
=
v 10v
GS
=
i 2一个
D
=
t 55
º
C
C
=
t 55
º
C
C
=
限制
v 4.5v
GS
=
10V
2
4
3
4
3
3
2
20
3
4
1.0
和 极大的 散热器
±
16 (tch 150
º
c)
(tc =25
º
c)
R
DS (在)
(
) r
DS (在)
(
)
Re
(yfs)
(s)
电容 (pf)
ta (
º
c)
V
DS
(v)
V
DS
I
D
特性
I
D
(yfs)
特性
V
DS
电容
SD
I
DR
特性 Ta
P
D
特性
V
GS
V
DS
特性 T
C
R
ds (在)
特性
V
GS
I
D
特性 I
D
R
ds (在)
特性
V
DS
(v)v
DS
(v) V
SD
(v)
I
DR
(一个)
I
D
(一个)
P
D
(w)
tc (
º
c)v
GS
(v)i
D
(一个)
V
GS
(v)v
DS
(v) I
D
(一个)
I
D
(一个)
I
D
(一个)
R
ds (在)
没有 散热器
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