数据 薄板
©2001 硅 存储 技术, 公司
s71145-02-000 6/01 399
1
这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
mpf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
16 mbit (x16) multi-目的 flash
sst39lf160 / sst39vf160
特性:
• 有组织的 作 1m x16
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 3.0-3.6v 为 sst39lf160
– 2.7-3.6v 为 sst39vf160
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量
–
起作用的 电流: 15 毫安 (典型)
–
备用物品 电流: 4 µa (典型)
–
自动 低 电源 模式: 4 µa (典型)
•
sector-擦掉 能力
–
uniform 2 kword sectors
•
快 读 进入 时间
–
55 ns 为 sst39lf160
–
70 和 90 ns 为 sst39vf160
•
latched 地址 和 数据
•
快 擦掉 和 文字-程序
–
sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
块-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
碎片-擦掉 时间: 70 ms (典型)
–
文字-程序 时间: 14 µs (典型)
–
碎片 rewrite 时间: 15 秒 (典型) 为
sst39lf/vf160
•
自动 写 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
终止-的-写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
cmos i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准
–
flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
•
包装 有
–
48-含铅的 tsop (12mm x 20mm)
–
48-球 tfbga (6mm x 8mm)
产品 描述
这 sst39lf/vf160 设备 是 1m x16 cmos multi-
目的 flash (mpf) 制造的 和 sst
’
s 专卖的,
高 效能 cmos superflash 技术. 这
分割-门 cell 设计 和 厚 oxide tunneling injector
attain 更好的 可靠性 和 manufacturability 对照的 和
alternate approaches. 这 sst39lf160 写 (程序 或者
擦掉) 和 一个 3.0-3.6v 电源 供应. 这 sst39vf160
写 (程序 或者 擦掉) 和 一个 2.7-3.6v 电源 供应.
这些 设备 遵从 至 电子元件工业联合会 标准 pinouts 为 x16
memories.
featuring 高 效能 文字-程序, 这 sst39lf/
vf160 设备 提供 一个 典型 文字-程序 时间 的 14
µsec.这些 设备 使用 toggle 位 或者 data# polling 至 indi-
cate 这 completion 的 程序 运作. 至 保护
相反 inadvertent 写, 它们 有 在-碎片 硬件 和
软件 数据 保护 schemes. 设计, manufac-
tured, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这些
设备 是 offered 和 一个 有保证的 忍耐力 的 10,000
循环. 数据 保持 是 评估 在 更好 比 100 年.
这 sst39lf/vf160 设备 是 suited 为 产品
那 需要 便利的 和 economical updating 的 pro-
gram, 配置, 或者 数据 记忆. 为 所有 系统 appli-
cations, 它们 significantly 改进 效能 和
可靠性, 当 lowering 电源 消耗量. 它们 inher-
ently 使用 较少 活力 在 擦掉 和 程序 比 改变-
native flash 科技. 这 总的 活力 consumed 是 一个
函数 的 这 应用 电压, 电流, 和 时间 的 applica-
tion. 自从 为 任何 给 电压 范围, 这 superflash
技术 使用 较少 电流 至 程序 和 有 一个 shorter
擦掉 时间, 这 总的 活力 consumed 在 任何 擦掉 或者
程序 运作 是 较少 比 alternative flash technolo-
gies. 这些 设备 也 改进 flexibility 当 lowering
这 费用 为 程序, 数据, 和 配置 存储 appli-
cations.
这 superflash 技术 提供 fixed 擦掉 和 pro-
gram 时间, 独立 的 这 号码 的 擦掉/程序
循环 那 有 occurred. 因此 这 系统 软件
或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者 de-评估 作 是
需要 和 alternative flash 科技, 谁的 擦掉
和 程序 时间 增加 和 accumulated 擦掉/pro-
gram 循环.
至 满足 高 密度, 表面 挂载 (所需的)东西, 这
sst39lf/vf160 是 offered 在 48-含铅的 tsop 和 48-球
tfbga 包装. 看 图示 1 为 pinouts.
设备 运作
commands 是 使用 至 initiate 这 记忆 运作 func-
tions 的 这 设备. commands 是 写 至 这 设备
使用 标准 微处理器 写 sequences. 一个 com-
mand 是 写 用 asserting we# 低 当 keeping ce#
低. 这 地址 总线 是 latched 在 这 下落 边缘 的 we#
或者 ce#, whichever occurs last. 这 数据 总线 是 latched 在
这 rising 边缘 的 we# 或者 ce#, whichever occurs 第一.
sst39lf/vf1603.0 &放大; 2.7v 16mb (x16) mpf memories
: 点此下载
