5–116
特性
(t
一个
=25
°
c)
标识
最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.2 1.5 V I
F
=20 毫安
反转 电压 V
R
5.0 V I
R
=10
µ
一个
反转 电流 I
R
10
µ
AV
R
=5 v
探测器
向前 blocking
电压
V
DRM
400 V
R
GK
=10 k
Ω
T
一个
=100
°
C
I
d
=150
µ
一个
反转 blocking
电压
V
DRRM
400 V
R
GK
=10 k
Ω
T
一个
=100
°
C
I
d
=150
µ
一个
在-状态 电压
V
t
1.2 V I
T
=100 毫安
支持 电流 I
H
500
µ
AR
GK
=27 k
Ω
V
FX
=50 v
门 触发
电压
V
GT
0.6 1.0 V V
FX
=100 v
R
GK
=27 k
Ω
R
L
=10 k
Ω
向前 泄漏
电流
I
D
0.2 2.0
µ
AR
GK
=27 k
Ω
V
RX
=400 v
I
F
=0, t
一个
=25
°
C
反转 泄漏
电流
I
R
0.2 2.0
µ
AR
GK
=27 k
Ω
V
RX
=400 v
I
F
=0, t
一个
=25
°
C
门 触发 电流 I
GT
20 50
µ
AV
FX
=100 v
R
GK
=27 k
Ω
,
R
L
=10 k
Ω
包装
转变-0n 电流 I
FT
0.5 5.0 10.0 毫安 V
FX
=100 v
R
GK
=27 k
Ω
分开
电容
2 pF f=1 mhz
包装 维度 在 英寸 (mm)
1
2
3
6
5
4
门
Anode
Cathode
Anode
Cathode
NC
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id.
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
特性
• 转变 在 电流 (ift), 5.0 毫安 典型
• 门 触发 电流 (igt), 20
µ
一个
• surge anode 电流, 1.0 放大
• blocking 电压,400 v
• 门 触发 电压 (vgt), 0.6 volt
• 分开 电压,5300 vac
RMS
• 固体的 状态 可靠性
• 标准 插件 包装
• underwriters lab 文件 #e52744
描述
这 il400 是 一个 optically 结合 scr 和 一个 镓
砷化物 infrared 发射级 和 一个 硅 photo scr
传感器. 切换 能 是 达到 当 维持
一个 高 程度 的 分开 在 triggering 和 加载
电路. 这 il400 能 是 使用 在 scr triac 和 固体的
状态 接转 产品 在哪里 高 blocking 电压
和 低 输入 电流 敏锐的 是 必需的.
最大 比率
发射级
顶峰 反转 电压 ........................................6.0 v
顶峰 向前 电流
(100
µ
s, 1% 职责 循环)..................................1.0 一个
持续的 向前 电流 .............................60 毫安
电源 消耗 在 25
°
C .............................100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C..........................1.3 mw/
°
C
探测器
反转 门 电压 .........................................6.0 v
anode 电压 (直流 或者 交流 顶峰)........................400 v
anode 电流.................................................100 毫安
surge anode 电流 (10 ms 持续时间)...............1.0 一个
surge 门 电流 (5 ms 持续时间)................200 毫安
电源 消耗, 25
°
c 包围的 .................200 mw
减额 成直线地 从 25
°
C........................2.11 mw/
°
C
包装
分开 电压....................................5300 vac
RMS
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C ............................. 最小值 10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C ........................... 最小值 10
11
Ω
总的 包装 消耗..............................250 mw
减额 成直线地 从 25
°
C........................2.63 mw/
°
C
运行 温度 ....................–55
°
c 至 +100
°
C
存储 温度........................–55
°
c 至 +150
°
C
IL400
photo scr optocoupler
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