5–1
特性
• 高 输入 sensltlvity: i
FT
=1.3 毫安, pf=1.0;
I
FT
=3.5 毫安, typlcal pf < 1.0
• 零 电压Crosslng
• 600/700/800 vblocklng 电压
• 300 毫安 在-状态 电流
• 高 statlc dv/dt 10,000 v/
µ
秒., 典型
• inverse 并行的 scrs 提供 commutatlng
dv/dt >10 kv/msec.
• 非常 低 泄漏 <10 毫安
• 分开 测试 电压 从 翻倍 模塑的
包装 5300 vacrms
• 包装, 6-pln 插件
• underwriters lab 文件 #e52744
描述
这 il411x 组成 的 一个 algaas irled optically
结合 至 一个 photosensitive 零 越过 triac
网络. 这 triac 组成 的 二 inverse 并行的
连接 大而单一的 scrs. 这些 三 semicon-
ductors 是 聚集 在 一个 六 管脚 0.3 inch 双 在-
线条 包装, 使用 高 绝缘 翻倍 模塑的,
在/下面 引线框架 构建.
高 输入 敏锐的 是 达到 用 使用 一个 发出-
ter 追随着 phototransistor 和 一个 倾泻 scr
predriver 结果 在 一个 led 触发 电流 的 较少
比 1.3 毫安(直流).
这 il411x 使用 二 分离的 scrs 结果 在 一个
commutating dv/dt 更好 比 10 kv/ms 这 使用
的 一个 专卖的 dv/dt clamp 结果 在 一个 静态的 dv/dt
的 更好 比 10 kv
/µ
s. 这个 clamp 电路 有 一个
场效应晶体管 那 是 增强 当 高 dv/dt 尖刺
出现 在 mt1 和 mt2 的 这 triac. 当
组织, 这 场效应晶体管 clamps 这 根基 的 这 pho-
totransistor, disabling 这 first 平台 scr predriver.
这 零 交叉 线条 电压 发现 电路 con-
sists 的 二 增强 mosfets 和 一个 photo-
二极管. 这 inhibit 电压 的 这 网络 是
决定 用 这 增强 电压 的 这 n-
频道 场效应晶体管. 这 p-频道 场效应晶体管 是 使能 用 一个
photocurrent 源 那 准许 这 场效应晶体管 至 con-
duct 这 主要的 电压 至 门 在 这 n-频道 场效应晶体管.
once 这 主要的 电压 能 使能 这 n-频道, 它
clamps 这 根基 的 这 phototransistor, disabling
这 first 平台 scr predriver.
这 blocking 电压 的 向上 至 800 v 准许 控制
的 止-线条 电压 向上 至 240 vac, 和 一个 安全 fac-
tor 的 更多 比 二, 和 是 sufficient 为 作 更 作
380 vac. 电流 处理 能力 是 向上 至 300
毫安 rms 持续的 在 25
°
c.
这 il411x isolates 低-电压 逻辑 从 120, 240,
和 380 vac 线条 至 控制 resistive, inductive, 或者
电容的 负载 包含 发动机, solenoids, 高
电流 thyristors 或者 triac 和 接转.
产品 包含 固体的-状态 接转, 工业的
控制, office 设备, 和 消费者 appli-
ances.
最大 比率
发射级
反转 电压 ...................................................................................6 v
向前 电流.............................................................................. 60 毫安
surge 电流 ................................................................................... 2.5 一个
电源 消耗.........................................................................100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ..................................................... 1.33 mw/
°
C
热的 阻抗................................................................... 750
°
c/w
探测器
顶峰 止-状态 电压
IL4116 ...........................................................................................600 v
IL4117 ...........................................................................................700 v
IL4118 ...........................................................................................800 v
rms 在-状态 电流 .................................................................. 300 毫安
单独的 循环 surge.............................................................................. 3 一个
总的 电源 消耗 ................................................................500 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ....................................................... 6.6 mw/
°
C
热的 阻抗.................................................................... 150
°
c/w
包装
存储 温度..................................................... –55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ................................................. –55
°
c 至 +100
°
C
含铅的 焊接 温度 ................................................260
°
c/5 秒.
分开 测试 电压...........................................................5300 vac
RMS
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
c..................................................................
≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
c................................................................
≥
10
11
Ω
维度 在 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79
)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id.
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
ZCC*
*zero 越过 电路
Triac
anode 1
Triac
anode 2
Substrat
e
做 不
连接
LED
Anode
LED
Cathode
NC
600 v
IL4116
700 v
IL4117
800 v
IL4118
零 电压越过
triac 驱动器 optocoupler
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