5–1
特性
• 完全同样的 频道 至 频道 footprint
ild620 crosses 至 tlp620-2
ilq620 crosses 至 tlp620-4
• 电流 转移 比率 (ctr) 在 i
F
=
±
5 毫安
ild/q620: 50% 最小值
ild/q620gb: 100% 最小值
• saturated 电流 转移 比率 (ctr
SAT
)
在 i
F
=
±
1 毫安
ild/q620: 60% 典型值
ild/q620gb: 30% 最小值
• 高 集电级-发射级 电压, bv
CEO
=70 v
• 双 和 四方形 包装 特性:
- 减少 板 空间
- 更小的 管脚 和 部分 计数
- 更好的 频道 至 频道 ctr 相一致
- 改进 一般 模式 拒绝
• 地方-效应 稳固的 用 trios
(tr
ansparent
IO
n
S
hield
)
• 分开 测试 电压 从 翻倍 模塑的
包装
• underwriters lab 文件 #e52744
• vde 0884 有 和 选项 1
最大 比率
(各自 频道)
发射级
向前 电流 .........................................
±
60 毫安
surge 电流...............................................
±
1.5 一个
电源 消耗 ...................................... 100 mw
减额 从 25
°
c .................................. 1.3 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 ............. 70 v
集电级 电流..........................................50 毫安
集电级 电流 (t <1 ms) ......................... 100 毫安
电源 消耗 ...................................... 150 mw
减额 从 25
°
C ..................................... 2 mw/
°
C
包装
分开 测试 电压(t=1 秒.)......... 5300 vac
RMS
包装 消耗, ild620/gb ............. 400 mw
减额 从 25
°
C ............................... 5.33 mw/
°
C
包装 消耗, ilq620/gb ............. 500 mw
减额 从 25
°
C ............................... 6.67 mw/
°
C
Creepage................................................7 mm 最小值
Clearance ...............................................7 mm 最小值
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C ................................
≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C .............................
≥
10
11
Ω
存储 温度 .................. –55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度............... –55
°
c 至 +100
°
C
接合面 温度 ................................... 100
°
C
焊接 温度
(2 mm 从 情况 bottom).......................... 260
°
C
描述
这 ild/q620 和 ild/q620gb 是 multi-频道 输入 phototran-sistor
optocouplers 那 使用 inverse 并行的 gaas irled emitters 和 高 增益
npn 硅 phototransistors 每 频道. 这些 设备 是 构成
使用 在/下面 引线框架 视力的 连接 和 翻倍 模塑的 绝缘
结果 在 一个 承受 测试 电压 的 7500 vac
顶峰
.
这 led 参数 和 这 直线的 ctr 特性 联合的 和
这
trios field-效应 处理 制造 这些 设备 好 suited 为 交流 电压
发现. 这 ild/q620gb 和 它的 低 如果 有保证的 ctr
CEsat
降低
电源 消耗 的 这 交流
电压 发现 网络 那 是 放置 在
序列 和 这 leds. eliminating 这 phototransistor 根基 连接 pro-
vides 增加 电的 噪音 免除 从 这 过往旅客 建立 在 许多
工业的 控制 环境.
维度 在 英寸 (mm)
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
管脚 一个 i.d.
管脚 一个 i.d.
.268 (6.81)
.255 (6.48)
.268 (6.81)
.255 (6.48)
.268 (6.81)
.255 (6.48)
34
65
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
4
°
典型值
.100 (2.54) 典型值
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
12
87
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43
)
.115 (2.92)
.045 (1.14)
.030 (.76)
4
°
典型值
.100 (2.54) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
集电级
发射级
集电级
发射级
集电级
发射级
集电级
发射级
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
集电级
发射级
集电级
发射级
一个/k
一个/k
一个/k
一个/k
1
2
3
4
8
7
6
5
12
11
10
9
K=Cathode
K=Cathode
双 频道
ild620/620gb
四方形 频道
ilq620/620gb
交流 输入 phototransistor
OPTOCOUPLER
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