ds30304 rev. 一个-2 1 的 2 IMX8
IMX8
双 npn 小 信号 表面 挂载 晶体管
外延的 planar 消逝 构建
complementary pnp 类型 有
(imt4)
小 表面 挂载 包装
典型的 标识 IMX8 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
120 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
120 V
发射级-根基 电压
V
EBO
5.0 V
集电级 电流 - 持续的
I
C
50 毫安
电源 消耗 (便条 1)
P
d
225
mW
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 (便条 1)
R
JA
555
c/w
运行 和 存储 和 温度 范围
T
j
,t
STG
-55 至 +150
C
特性
最大 比率
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
一个
M
J
L
FD
B
C
H
K
B
2
B
1
E
1
C
2
E
2
C
1
KX8
机械的 数据
情况: sot-26, 模塑的 塑料
情况 材料 - ul flammability 比率
分类 94v-0
terminals: solderable 每 mil-标准-202,
方法 208
终端 连接: 看 图解
标记: kx8
重量: 0.016 grams (approx.)
新 产品
sot-26
Dim 最小值 最大值 典型值
一个
0.35 0.50 0.38
B
1.50 1.70 1.60
C
2.70 3.00 2.80
D
0.95
F
0.55
H
2.90 3.10 3.00
J
0.013 0.10 0.05
K
1.00 1.30 1.10
L
0.35 0.55 0.40
M
0.10 0.20 0.15
所有 维度 在 mm
电的 特性
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
止 特性 (便条 2)
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
120
V
I
C
= 50
一个
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
120
V
I
C
= 1.0ma
发射级-根基 损坏 电压
V
(br)ebo
5.0
V
I
E
= 50
一个
集电级 截止 电流
I
CBO
0.5
一个
V
CB
= 100v
发射级 截止 电流
I
EBO
0.5
一个
V
EB
= 4.0v
在 特性 (便条 2)
直流 电流 增益
h
FE
180
820
I
C
= 2.0ma, V
CE
= 6.0v
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
0.5 V
I
C
= 10ma, I
B
= 1.0ma
小 信号 特性
电流 增益-带宽 产品
f
T
140
MHz
V
CE
= 12v, i
E
= -2.0ma,
f = 100mhz
注释: 1. 设备 挂载 在 fr-5 pcb 1.0 x 0.75 x 0.062 inch 垫子 布局 作 显示 在 二极管 公司 建议的 垫子 布局 ap02001, 这个
能 是 建立 在 我们的 网站 在 http://www.二极管.com/数据手册/ap02001.pdf. 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
2. 短的 持续时间 测试 脉冲波 使用 至 降低 自-加热 效应.
3. 为 包装 详细信息, go 至 我们的 网站 在 http://www.二极管.com/数据手册/ap02007.pdf.
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