IMX8
晶体管
rev.一个 1/2
一般 目的 (双 晶体管)
IMX8
z
特性
1) 二 2sc3906k 碎片 在 一个 smt 包装.
2) 高 损坏 电压.
z
包装, 标记, 和包装 规格
IMX8
SMT6
X8
T108
3000
部分 非.
包装
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : smt6
eiaj : sc-74
各自 含铅的 有 一样 维度
(
6
)
(
5
)
(
4
)
0.3min.
0.15
0.3
1.1
0.8
0~0.1
(
3
)
2.8
1.6
1.9
2.9
0.95
(
2
)
0.95
(
1
)
z
相等的 电路
(1)(2)(3)
(4)
Tr
2
Tr
1
(5) (6)
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
限制
120
120
5
50
150
−
55 至 +150
单位
V
V
V
毫安
mW
∗
°
C
°
C
300(总的)
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
120
120
5
−
−
180
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5
0.5
820
V
V
V
µ
一个
µ
一个
−
转变 频率 f
T
−
140
−
MHz
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
50
µ
一个
V
CB
=
100V
V
EB
=
4V
V
ce(sat)
−−
0.5 V I
C
/i
B
=
10ma/1ma
V
CE
=
6v, i
C
=
2mA
V
CE
=
12v, i
E
= −
2ma, f
=
100MHz
∗
转变 频率 的 这 设备
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流 转移 比率
集电级-发射级 饱和 电压
∗
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