IMX9
晶体管
一般 目的 晶体管
(分开的 双 晶体管)
IMX9
z
zz
z
特性
1) 二 2sd2114k 碎片 在 一个 smt 包装.
2) 挂载 可能 和 smt3 自动 挂载
机器.
3) 晶体管 elements 是 独立, eliminating
干扰.
4) 挂载 费用 和 范围 能 是 截 在 half.
z
zz
z
结构
外延的 planar 类型
npn 硅 晶体管
这 下列的 特性 应用 至 两个都 tr
1
和 tr
2
.
z
zz
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : smt6
eiaj : sc-74
abbreviated 标识: x9
(1)
(2)
(3)
0.3
+
0.1
−
0.05
1.6
2.8±0.2
+
0.2
−
0.1
(6)
(5)
(4)
0.95 0.95
1.9±0.2
2.9±0.2
1.1
+
0.2
0.8±0.1
−
0.1
0~0.1
0.3~0.6
0.15
−
0.06
+
0.1
所有 terminals 有 一样 维度
z
zz
z
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
z
zz
z
相等的 电路
参数 标识 限制 单位
V
CBO
25 V
V
CEO
20 V
V
EBO
12 V
I
C
500 毫安
Tj 150
°
C
Tstg
−
55~
+
150
°
C
Pd 300(总的) mW
∗
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
接合面 温度
存储 温度
电源 消耗
∗
200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
Tr
2
Tr
1
(4) (5) (6)
(3) (2) (1)
z
zz
z
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数
标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
ce(sat)
最小值
25
20
12
−
−
560
−
−
−
−
−
−
−
0.18
−
−
−
0.5
0.5
2700
0.4
V
I
C
=
10
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
10
µ
一个
V
CB
=
20V
V
EB
=
10V
V
CE
=
3v, i
C
=
10mA
I
C
/i
B
=
500ma/20ma
V
V
µ
一个
µ
一个
−
V
典型值 最大值 单位 情况
f
T
Ron
Cob
−
−
−
350
0.8
8
−
−
−
V
CE
=
10v, i
E
=−
50ma, f
=
100MHz
I
B
=
1ma, v
i
=
100mvrms, f
=
1kHz
V
CB
=
10v, i
E
=
0a, f
=
1MHz
MHz
Ω
pF
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流 转移 比率
转变 频率
输出 电容
输出 在-阻抗
集电级-发射级 饱和 电压
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