数据 薄板 非. pd60172 rev.g
典型 连接
高 和 低 一侧 驱动器
特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 +600v
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
•
欠压 lockout 为 两个都 途径
•
3.3v 和 5v 输入 逻辑 兼容
•
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
•
逻辑 和 电源 地面 +/- 5v 补偿.
•
更小的 di/dt 门 驱动器 为 更好的 噪音 免除
•
输出 源/下沉 电流 能力 1.4a/1.8a
•
也 有 含铅的-自由 (pbf)
IR21814
IR2181
IR2181
(
4
)(
S
) &放大; (pbf)
www.irf.com 1
(谈及 至 含铅的 assignments 为 准确无误的 管脚
配置). 这个/这些 图解(s) 显示
电的 连接 仅有的. 请 谈及 至
我们的 应用 注释 和 designtips 为
恰当的 电路 板 布局.
描述
这 ir2181(4)(s) 是 高 电压,
高 速 电源 场效应晶体管 和 igbt
驱动器 和 独立 高 和 低
一侧 关联 输出 途径. pro-
prietary hvic 和 获得 不受影响
cmos 科技 使能 rugge-
dized 大而单一的 构建. 这 逻辑 输入 是 兼容 和 标准 cmos 或者 lsttl 输出,向下 至
3.3v 逻辑.这 输出 驱动器 特性 一个 高 脉冲波 电流 缓存区 平台 设计 为 最小 驱动器 交叉-
传导. 这 floating 频道 能 是 使用 至 驱动 一个 n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这 高 一侧
配置 这个 运作 向上 至 600 伏特.
ir2181/ir2183/ir2184 特性 comparison
包装
14-含铅的 pdip
IR21814
8-含铅的 pdip
IR2181
14-含铅的 soic
IR21814S
8-含铅的 soic
IR2181S
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