典型 连接
half-桥 驱动器
特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 +600v
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
•
欠压 lockout 为 两个都 途径
•
3.3v, 5v 和 15v 输入 逻辑 兼容
•
交叉-传导 prevention 逻辑
•
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
•
高 一侧 输出 在 阶段 和 在 输入
•
逻辑 和 电源 地面 +/- 5v 补偿.
•
内部的 540ns dead-时间, 和 可编程序的
向上 至 5us 和 一个 外部 r
DT
电阻 (ir21094)
•
更小的 di/dt 门 驱动器 为 更好的 噪音 免除
•
shut 向下 输入 转变 止 两个都 途径.
描述
这 ir2109(4)(s) 是 高 电压, 高 速 电源
场效应晶体管 和 igbt 驱动器 和 依赖 高 和
低 一侧 关联 输出 途径. 专卖的 hvic
和 获得 不受影响 cmos 科技 使能 rugge-
dized 大而单一的 构建. 这 逻辑 输入 是
兼容 和 标准 cmos 或者 lsttl 输出,
向下 至 3.3v 逻辑. 这 输出 驱动器 特性 一个 高
脉冲波 电流 缓存区 平台 设计 为 最小 驱动器
IR21094
IR2109
Packages
ir2109(4)
(
S
)
数据 薄板 非. pd60163-p
V
补偿
600v 最大值
I
O
+/- 120 毫安 / 250 毫安
V
输出
10 - 20v
t
开关
(典型值.) 750 &放大; 200 ns
dead 时间 540ns
(可编程序的 向上 至 5us 为 ir21094)
产品 summary
www.irf.com 1
V
CC
V
B
V
S
HO
LOCOM
在
SD
SD
在
向上 至 600v
至
加载
V
CC
在
向上 至 600v
至
加载
V
CC
V
B
V
S
HO
LO
COM
在
DT
V
SS
SD
V
CC
SD
V
SS
R
DT
8 含铅的 pdip
14 含铅的 pdip
8 含铅的 soic
14 含铅的 soic
交叉-传导. 这 floating 频道 能 是 使用 至 驱动一个n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这
高 一侧 配置 这个 运作 向上 至 600 伏特.
(谈及 至 含铅的 assignments 为 准确无误的
配置). 这个/这些 图解(s) 显示
电的 连接 仅有的. 请 谈及 至 我们的
应用 注释 和 designtips 为 恰当的
电路 板 布局.
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