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资料编号:408080
资料名称:
IRLR7807Z
文件大小: 168.71K
说明
:
介绍
:
HEXFET Power MOSFET
: 点此下载
1
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com
1
4/7/03
IRLR7807Z
IRLU7807Z
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 11
产品
益处
非常 低 rds(在) 在 4.5v v
GS
过激-低 门 阻抗
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 同步的 buck
转换器 为 计算机 处理器 电源
d-pak
IRLR7807Z
i-pak
IRLU7807Z
pd - 94662
V
DSS
R
ds(在)
最大值
qg (典型值.)
30V
13.8m
Ω
7.0nc
绝对 最大 比率
参数
单位
V
DS
流-至-源 电压
V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗
W
P
D
@T
C
= 100°c
最大 电源 消耗
直线的 减额 因素
w/°c
T
J
运行 接合面 和
°C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
热的 阻抗
参数
典型值
最大值
单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
3.75
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
–––
50
°c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
110
40
最大值
43
30
170
± 20
30
0.27
20
300 (1.6mm 从 情况)
-55 至 + 175
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