参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
75 100 °c/w
IRLML6402
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p-频道 mosfets 从 国际的 整流器 utilize
先进的 处理 技巧 至 达到 极其 低 在-
阻抗 每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快
切换 速 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和
一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 电池 和
加载 管理.
一个 thermally 增强 大 垫子 引线框架 有 被 组成公司的
在 这 标准 sot-23 包装 至 生产 一个 hexfet 电源
场效应晶体管 和 这 工业's smallest footprint. 这个 包装,
dubbed 这 micro3
, 是 完美的 为 产品 在哪里 打印
电路 板 空间 是 在 一个 premium. 这 低 profile (<1.1mm)
的 这 micro3 准许 它 至 合适 容易地 在 极其 薄的 应用
环境 此类 作 可携带的 electronics 和 pcmcia cards.
这 热的 阻抗 和 电源 消耗 是 这 最好的
有.
热的 阻抗
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.065
Ω
过激 低 在-阻抗
p-频道 场效应晶体管
sot-23 footprint
低 profile (<1.1mm)
有 在 录音带 和 卷轴
快 切换
描述
8/13/99
www.irf.com 1
S
D
G
pd- 93755
参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -3.7
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -2.2 一个
I
DM
搏动 流 电流
-22
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 1.3
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗 0.8
直线的 减额 因素 0.01 w/°c
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
11 mJ
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大 比率
W
Micro3
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