参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
75 100 °c/w
IRLML6402
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p沟道 mosfets 从 国际 整流器 利用
高级 加工 技术 至 实现 极其 低 开启-
电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快
开关 速度 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师 与
一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 蓄电池 和
荷载 管理.
一个 热 增强型 大型 衬垫 引线框架 有 被 股份公司
进入 这 标准 sot-23 包装 至 生产 一个 hexfet 电源
场效应晶体管 与 这 行业's 最小 占地面积. 这个 包装,
dubbed 这 micro3
, 是 理想 用于 应用程序 在哪里 已打印
电路 板 空间 是 在 一个 保费. 这 低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
的 这 micro3 允许 它 至 适合 很容易 进入 极其 薄 应用程序
环境 这样的 作为 便携式 电子产品 和 pcmcia 卡片.
这 热 电阻 和 电源 耗散 是 这 最好
可用.
热 电阻
v
DSS
= -20v
右
ds(开启)
= 0.065
Ω
超 低 导通电阻
p沟道 场效应晶体管
sot-23 占地面积
低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
可用 入点 胶带 和 卷轴
快 开关
描述
8/13/99
www.irf.com 1
s
d
g
pd- 93755
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -3.7
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -2.2 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-22
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 1.3
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散 0.8
线性 降额 因素 0.01 w/°c
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
11 mJ
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
w
Micro3
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