ISSI
®
IS61LV256
整体的 硅 解决方案, 公司
2-1
rev. f 0296
SR81995LV61
issi reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 它的 产品 在 任何 时间 没有 注意 在 顺序 至 改进 设计 和 供应 这 最好的 可能 产品. 我们 假设 非 责任 为 任何 errors 这个
将 呈现 在 这个 发行. © 版权 1996, 整体的 硅 解决方案, 公司
特性
• 高-速 进入 时间: 12, 15, 20, 25 ns
• 自动 电源-向下 当 碎片 是 deselected
• cmos 低 电源 运作
— 345 mw (最大值.) 运行
— 7 mw (最大值.) cmos 备用物品
• ttl 兼容 接口 水平
• 单独的 3.3v 电源 供应
• 全部地 静态的 运作: 非 时钟 或者 refresh
必需的
• 三-状态 输出
描述
这
ISSI
is61lv256 是 一个 非常 高-速, 低 电源,
32,768-文字 用 8-位 静态的 内存. 它 是 fabricated 使用
ISSI
's
高-效能 cmos 技术. 这个 高级地 可依靠的 pro-
cess 结合 和 革新的 电路 设计 技巧, 产量
进入 时间 作 快 作 12 ns 最大.
当
CE
是 高 (deselected), 这 设备 假设 一个 备用物品
模式 在 这个 这 电源 消耗 是 减少 至
50
µ
w (典型) 和 cmos 输入 水平.
容易 记忆 expansion 是 提供 用 使用 一个 起作用的 低
碎片 使能 (
CE
). 这 起作用的 低 写 使能 (
我们
) 控制
两个都 writing 和 读 的 这 记忆.
这 is61lv256 是 有 在 这 电子元件工业联合会 标准 28-管脚,
300-mil 插件 和 soj, 加 这 450-mil tsop 包装.
IS61LV256
32k x 8 低 电压 cmos 静态的 内存
二月 1996
ISSI
®
函数的 块 图解
a0-a14
CE
OE
我们
256 x 1024
记忆 排列
解码器
column i/o
控制
电路
地
VCC
i/o
数据
电路
i/o0-i/o7
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