特点
• 已建成 使用 这 优点 和 兼容性
的 cmos 和 ixys hdmos
tm
流程.
• 闩锁 保护
• 高 峰值 输出 电流: 14a 峰值
• 宽 操作 范围: 4.5v 至 25v
• 能力 至 禁用 输出 下 故障
• 高 电容式 荷载
驱动器 能力: 15nf 入点 &指示灯;30ns
• 匹配 上升 和 坠落 次
• 低 传播 延迟 时间
• 低 输出 阻抗
• 低 供应 电流
应用程序
• 驾驶 mosfets 和 igbts
• 限制 di/dt 下 短 电路
• 电机 控件
• 线 驱动程序
• 脉冲 发电机
• 本地 电源 开关 开关
• 开关 模式 电源 供应品 (smps)
• 直流 至 直流 转换器
• 脉冲 变压器 驾驶员
• 类 d 开关 放大器
第一 释放
版权 © ixys 公司 2001 专利 待定
概述 描述
这 ixdd414 是 一个 高 速度 高 电流 闸门 驾驶员
具体而言 设计 至 驱动器 这 最大 mosfets 和
igbts 至 他们的 最小值 开关 时间 和 最大值
实用 频率 限制. 这 ixdd414 可以 来源 和
水槽 14a 的 峰值 电流 同时 生产 电压 上升 和
坠落 次 的 较少 比 30ns. 这 输入 的 这 驾驶员 是
兼容 与 ttl 或 cmos 和 是 完全 免疫 至
门闩 向上 结束 这 整个 操作 范围. 设计 与
小 内部 延误, 十字形 传导/电流 射击-
通过 是 几乎 已淘汰 入点 这 ixdd414. 其 特点
和 宽 安全 边距 入点 操作 电压 和 电源
制造 这 ixdd414 不匹配 入点 业绩 和 值.
这 ixdd414 包含 一个 独一无二 能力 至 禁用 这
输出 下 故障 条件. 当 一个 逻辑 低 是
强制 进入 这 启用 输入, 两者都有 决赛 输出 舞台
mosfets (nmos 和 pmos) 是 翻转 关. 作为 一个
结果, 这 输出 的 这 ixdd414 进入 一个 三态 模式
和 达到 一个 软 关闭 的 这 场效应晶体管/igbt 当
一个 短 电路 是 检测到. 这个 帮助 防止 损伤
那 可以 发生 至 这 场效应晶体管/igbt 如果 它 是 至 是
已切换 关 突然 到期 至 一个 设计验证/dt 过电压 tran-
sient.
这 ixdd414 是 可用 入点 这 标准 8-管脚 p-倾角 (pi),
5-管脚 至-220 (ci) 和 入点 这 至-263 (yi) 表面贴装
包装.
200 k
ixdd414pi / 414yi / 414ci
14 放大器 低侧 超快 场效应晶体管 驾驶员
图 1 - 功能 图表
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