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标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C 800 V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
800 V
V
GS
持续的
20 V
V
GSM
瞬时
30 V
I
D25
T
C
= 25
C27A
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
108 一个
I
AR
T
C
= 25
C27A
E
AR
T
C
= 25
C60mJ
E
作
T
C
= 25
C 2.5 J
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 500 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
T
L
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10 s 300
C
M
d
挂载 torque 至-264 0.4/6 nm/lb.在.
重量
加 247/isoplus 247 6 g
至-264 10 g
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250ua 800 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 4ma 2.0 4.5 v
I
GSS
V
GS
=
20 v, v
DS
= 0
100 na
I
DSS
V
DS
= v
DSS
100
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
c2 毫安
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
300 m
便条 1
98722 (05/22/00)
加 247
TM
(ixfx)
G
D
(tab)
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
V
DSS
= 800 V
I
D25
=27A
R
ds(在)
= 300 m
t
rr
250 ns
S
G
D
(tab)
至-264 aa (ixfk)
HiPerFET
TM
电源 mosfets
q-类
单独的 场效应晶体管 消逝
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 低 qg, 高 dv/dt, 低 t
rr
特性
• ixys 先进的 低 q
g
处理
• 低 门 承担 和 capacitances
- easier 至 驱动
- faster 切换
• 国际的 标准 包装
• 低 r
ds (在)
• 评估 为 unclamped inductive 加载
切换 (uis) 评估
• 塑造 epoxies 满足 ul 94 v-0
flammability 分类
产品
• 直流-直流 转换器
• 电池 chargers
• 切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
• 直流 choppers
• 交流 发动机 控制
• 温度 和 lighting 控制
有利因素
• 加 247
TM
包装 为 clip 或者 spring
挂载
• 空间 savings
• 高 电源 密度
IXFK 27N80Q
IXFR 27N80Q
IXFX 27N80Q
G
D
分开的 后面的 surface*
isoplus 247
TM
(ixfr)
E153432
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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