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标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C 800 V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
800 V
V
GS
持续的
20 V
V
GSM
瞬时
30 V
I
D25
T
C
= 25
C13A
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
52 一个
I
AR
T
C
= 25
C13A
E
AR
T
C
= 25
C28mJ
E
作
T
C
= 25
C 750 mJ
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
, 5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 250 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
T
L
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s 300
C
M
d
挂载 torque 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 6 g
至-268 4 g
至-247 ad (ixfh)
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
(tab)
98626 (6/99)
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个 800 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 4 毫安 2.5 4.5 V
I
GSS
V
GS
=
20 v
直流
, v
DS
= 0
100 nA
I
DSS
V
DS
= v
DSS
T
J
= 25
C50
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
C1mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
0.70
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
V
DSS
= 800 v
I
D25
= 13 一个
R
ds(在)
= 0.70
t
rr
250 ns
初步的 数据 薄板
至-268 (d3) (ixft) 情况 样式
(tab)
G
S
HiPerFET
TM
电源 mosfets
q 类
n-频道 增强 模式
avalanche 评估 高 dv/dt, 低 q
g
特性
• ixys 先进的 低 q
g
处理
• 国际的 标准 包装
• 低 r
ds (在)
• unclamped inductive 切换 (uis)
评估
• 快 切换
• 塑造 epoxies 满足 ul
94
v-0
flammability 分类
有利因素
• 容易 至 挂载
• 空间 savings
• 高 电源 密度
ixfh 13n80q
ixft 13n80q
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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