顺序 号码: 306666, 修订: 001
april 2005
intel strataflash
®
embedded 记忆
(p30)
1-gbit p30 家族
数据手册
产品 特性
这 intel strataflash
®
embedded 记忆 (p30) 产品 是 这 最新的 一代 的 intel
StrataFlash
®
记忆 设备. offered 在 64-mbit 向上 通过 1-gbit densities, 这 p30 设备
brings 可依靠的, 二-位-每-cell 存储 技术 至 这 embedded flash market 段.
益处 包含 更多 密度 在 较少 空间, 高-速 接口, 最低 费用-每-位 也不
设备, 和 支持 为 代号 和 数据 存储. 特性 包含 高-效能 同步的-
burst 读 模式, 快 异步的 进入 时间, 低 电源, 有伸缩性的 安全 选项, 和 三
工业 标准 包装 choices.
这 p30 产品 家族 是 制造的 使用 intel
®
130 nm etox™ viii 处理 技术.
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高 效能
— 85/88 ns 最初的 进入
— 40 mhz 和 零 wait states, 20 ns 时钟-至-
数据 输出 同步的-burst 读 模式
— 25 ns 异步的-页 读 模式
— 4-, 8-, 16-, 和 持续的-文字 burst 模式
— 缓冲 增强 工厂 程序编制
(befp) 在 5 µs/字节 (典型值)
— 1.8 v 缓冲 程序编制 在 7 µs/字节 (典型值)
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Architecture
— multi-水平的 cell 技术: 最高的 密度
在 最低 费用
— asymmetrically-blocked architecture
— 四 32-kbyte 参数 blocks: 顶 或者
bottom 配置
— 128-kbyte 主要的 blocks
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电压 和 电源
—V
CC
(核心) 电压: 1.7 v – 2.0 v
—V
CCQ
(i/o) 电压: 1.7 v – 3.6 v
— 备用物品 电流: 55 µ一个 (典型值) 为 256-mbit
— 4-文字 同步的 读 电流:
13 毫安 (典型值) 在 40 mhz
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质量 和 可靠性
— 运行 温度: –40 °c 至 +85 °c
• 1-gbit 在 scsp 是 –30 °c 至 +85 °c
— 最小 100,000 擦掉 循环 每 块
— etox™ viii 处理 技术 (130 nm)
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安全
— 一个-时间 可编程序的 寄存器:
• 64 唯一的 工厂 设备 identifier 位
• 64 用户-可编程序的 otp 位
• 额外的 2048 用户-可编程序的 otp 位
— 可选择的 otp 空间 在 主要的 排列:
• 4x32kb 参数 blocks + 3x128kb 主要的
blocks (顶 或者 bottom 配置)
— 绝对 写 保护: v
PP
= v
SS
— 电源-转变 擦掉/程序 lockout
— 单独的 零-latency 块 locking
— 单独的 块 锁-向下
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软件
— 20 µs (典型值) 程序 suspend
— 20 µs (典型值) 擦掉 suspend
—Intel
®
flash 数据 积分器 优化
— 基本 command 设置 和 扩展 command
设置 兼容
— 一般 flash 接口 有能力
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密度 和 包装
— 64/128/256-mbit densities 在 56-含铅的 tsop
包装
— 64/128/256/512-mbit densities 在 64-球
Intel
®
容易 bga 包装
— 64/128/256/512-mbit 和 1-gbit densities 在
Intel
®
quad+ scsp
— 16-位 宽 数据 总线
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