k6x4008c1f 家族
cmos sram
修订 1.0
九月 2003
1
文档 标题
512kx8 位 低 电源 全部 cmos 静态的 内存
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修订 非.
0.0
0.1
1.0
Remark
初步的
初步的
最终
History
最初的 draft
修订
- 增加 商业的 产品.
Finalized
- 增加 含铅的 自由 32-sop-525 产品
- changed iCC从 10ma 至 5ma
- changed iCC1 从 8ma 至 7ma
- changed iCC2 从 40ma 至 30ma
- changed iSB从 3ma 至 0.4ma
- changed iDR(商业的)从 15
µ
一个 至 12
µ
一个
- changed iDR(工业的)从 20
µ
一个 至 12
µ
一个
- changed iDR(automotive)从 30
µ
一个 至 25
µ
一个
draft 日期
july 30, 2002
十一月 30, 2002
九月 16, 2003
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