©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 九月 2002
ksp25/26/27
npn 外延的 硅 darlington 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压
: ksp25
: ksp26
: ksp27
40
50
60
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 10 V
I
C
集电级 电流 500 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55~150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压
: ksp25
: ksp26
: ksp27
I
C
=100
µ
一个, i
E
=0
40
50
60
V
V
V
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压
: ksp25
: ksp26
: ksp27
I
C
=100
µ
一个, i
E
=0
40
50
60
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流
: ksp25
: ksp26
: ksp27
V
CE
=30v, i
E
=0
V
CE
=40v, i
E
=0
V
CE
=50v, i
E
=0
100
100
100
nA
nA
nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=10v, i
B
=0 100 nA
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=10mA
V
CE
=5v, i
C
=100mA
10K
10K
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=100ma, i
B
=0.1ma 1.5 V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
=5v, i
C
=100mA 2 V
ksp25/26/27
darlington 晶体管
• 集电级-发射级 电压: v
CES
=ksp25: 40v
ksp26: 50v
ksp27: 60v
• 集电级 电源 消耗: p
C
(最大值) =625mw
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
至-92
1
: 点此下载
