©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 二月 2002
KSP2907A
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
* 也 有 作 和 pn2907
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 -60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 -60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 -5 V
I
C
集电级 电流 -600 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= -10
µ
一个, i
E
=0 -60 V
BV
CEO
* 集电级 发射级 损坏 电压 I
C
= -10ma, i
B
=0 -60 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= -10
µ
一个, i
C
=0 -5 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= -50v, i
E
=0 -10 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= -0.1ma, v
CE
= -10v
V
CE
= -10v, i
C
= -1ma,
V
CE
= -10v , i
C
= -10ma
V
CE
= -10v, *i
C
= -150ma
V
CE
= -10v, *i
C
= -500ma
75
100
100
100
50
300
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -150ma, i
B
= -15ma
I
C
= -500ma, i
B
= -50ma
-0.4
-1.6
V
V
V
是
(sat) 根基 发射级 饱和 电压 I
C
= -150ma, i
B
= -15ma
I
C
= -500ma, i
B
= -50ma
-1.3
-2.6
V
V
C
ob
输出 电容 V
CB
= -10v, i
E
=0
f=1MHz
8pF
f
T
* 电流 增益 带宽 产品 I
C
= -50ma, v
CE
= -20v
f=100MHz
200 MHz
t
在
转变 在 时间 V
CC
= -30v, i
C
= -150ma
I
B1
= -15ma
45 ns
t
止
转变 止 时间 V
CC
= -6v, i
C
= -150ma
I
B1
=I
B2
= -15ma
100 ns
KSP2907A
一般 目的 晶体管
• 集电级-发射级 电压: v
CEO
= 60v
• 集电级 电源 消耗: p
C
(最大值)=625mw
• 谈及 至 ksp2907 为 graphs
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
至-92
1
: 点此下载
