LH6V4256
cmos 1m (256K
×
4) 动态内存
FUNCTION
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262,144words
×
4 位
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进入 时间: 100ns (最大值)
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循环时间: 190 ns (最小值)
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快 页模式cycle 时间: 60 ns (最小值)
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Power supply: +3.3 v
±
0.3 v
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Power consumption(最大值):
Ope比率: 126 mw
Standby: 0.54 mw
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Built-in获得 circu它 为 row-address,
column-address, 和 输入 data
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oe = 做n’t 小心 在early写 运作
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ras 在ly refresh, hiddenrefresh, 和
cas 是foreras refresh capability
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在-碎片refresh counter
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512refresh 循环/8 ms
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Packages:
20-pin, 300-mil 插件
26-pin, 300-mil soj
28-pin, 8
×
13 mm
2
tsop (类型 i)
描述
这 lh6v4256是 一个262,144word
×
4-位 动态
内存 这个 准许 快 页 模式 进入. 这
LH6V4256 是fabricated 在 sharp’s 先进的 cmos
翻倍-水平的polysilicon门 technology. with 它的 输入
多路复用 和 packaged 在这标准 20-管脚 插件,
26-管脚 soj, 或者 28-管脚 tsop (i) packages, 它 is 容易 至
realize 记忆 systems 和 低 电源 dissipation 和
大 记忆capacity. 这LH6V4256 运作 在 一个
single +3.3 v power 供应 和这built-在 biasing
电压 generator circuit.
管脚 连接
6v4256-1
顶 view
1
2
3
4
7
8A
2
NC
18
17
16
15
14
13
WE
RAS
5
6
一个
1
一个
0
12
11
CAS
一个
8
9
10
20
19 i/o
4
一个
3
V
SS
V
CC
OE
20-管脚 dip
i/o
3
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
i/o
2
i/o
1
图示 1.管脚 连接为 插件 package
2-14
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