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mrf373ar1 mrf373asr1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线
n–channel enhancement–mode 横向 mosfets
设计 f或 宽带 商业 和 工业 应用程序 与 频率-
cies 从 470 至 860 mhz. 这 高 增益 和 宽带 业绩 的 这些
设备 制造 他们 理想 用于 large–signal, 普通 来源 放大器 应用程序-
区域 入点 28/32 电压 变送器 设备.
•
典型 cw 业绩 在 860 mhz, 32 伏特, 窄带 夹具
输出 电源 — 75 瓦特
电源 增益 — 18.2 db
效率 — 60%
•
100% 已测试 用于 荷载 不匹配 应力 在 全部 相位 角片
与 10:1 vswr @ 32 vdc, 860 mhz, 75 瓦特 cw
•
综合 esd 保护
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 large–signal
阻抗 参数
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 = 500 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
70 Vdc
gate–source 电压 v
gs
– 0.5, +15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c MRF373AR1
降额 以上 25
°
c
MRF373ASR1
p
d
197
1.12
278
1.59
瓦特
w/
°
c
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
– 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 MRF373AR1
MRF373ASR1
m2 (最小值)
m1 (最小值)
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 MRF373AR1
MRF373ASR1
右
θ
jc
0.89
0.63
°
c/w
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf373a/d
半导体 技术类 数据
470 – 860 mhz, 75 w, 32 v
横向 n–channel
宽带
rf 电源 mosfets
案例 360b–05, 风格 1
NI–360
MRF373AR1
案例 360c–05, 风格 1
NI–360S
MRF373ASR1
摩托罗拉, 公司 2002
rev 2
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