X28C256
1
5 volt, 字节 alterable e
2
PROM
© xicor, 公司 1991, 1995 专利权 pending 特性 主题 至 改变 没有 注意
3855-1.9 8/1/97 t1/c0/d8 ew
描述
这 x28c256 是 一个 32k x 8 e
2
prom, fabricated 和
xicor’s 专卖的, 高 效能, floating 门
cmos 技术. 像 所有 xicor 可编程序的 非-
易变的 memories 这 x28c256 是 一个 5v 仅有的 设备. 这
x28c256 特性 这 电子元件工业联合会 批准 引脚 为 字节-
宽 memories, 兼容 和 工业 标准 rams.
这 x28c256 支持 一个 64-字节 页 写 运作,
effectively 供应 一个 78
µ
s/字节 写 循环 和 en-
abling 这 全部 记忆 至 是 典型地 写 在 较少
比 2.5 秒. 这 x28c256 也 特性
数据
和 toggle 位 polling, 一个 系统 软件 支持
scheme 使用 至 表明 这 early completion 的 一个 写
循环. 在 增加, 这 x28c256 包含 一个 用户-optional
软件 数据 保护 模式 那 更远 enhances
xicor’s 硬件 写 保护 能力.
xicor e
2
proms 是 设计 和 测试 为 applica-
tions 需要 扩展 忍耐力. 固有的 数据 re-
tention 是 更好 比 100 年.
特性
•
进入 时间: 200ns
•
简单的 字节 和 页 写
— 单独的 5v 供应
—no 外部 高 电压 或者 v
PP
控制
电路
— 自-安排时间
—非 擦掉 在之前 写
—非 complex 程序编制 algorithms
—no overerase 问题
•
低 电源 cmos:
—active: 60ma
—standby: 200
µ
一个
•
软件 数据 保护
— 保护 数据 相反 系统 水平的
inadvertent 写
•
高 速 页 写 能力
•
高级地 可依靠的 直接 写
™
Cell
— 忍耐力: 100,000 写 循环
— 数据 保持: 100 年
•
early 终止 的 写 发现
—
数据
Polling
—toggle 位 polling
256K
X28C256
32k x 8 位
管脚 配置
A14
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
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一个
1
一个
0
i/o
0
i/o
1
i/o
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V
SS
1
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V
CC
我们
一个
13
一个
8
一个
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一个
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OE
一个
10
CE
i/o
7
i/o
6
i/o
5
i/0
4
i/o
3
X28C256
塑料 插件
CERDIP
flat 包装
SOIC
3855 fhd f02
TSOP
1
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3
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5
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X28C256
一个
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一个
4
一个
5
一个
6
一个
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一个
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一个
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NC
V
CC
NC
我们
一个
13
一个
8
一个
9
一个
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OE
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一个
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一个
1
一个
0
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0
i/o
1
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NC
V
SS
NC
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3
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一个
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一个
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5
一个
4
一个
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一个
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一个
1
一个
0
NC
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0
一个
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一个
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一个
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NC
OE
一个
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CE
i/o
7
i/o
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5
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X28C256
一个
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一个
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一个
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NC
V
CC
我们
一个
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i/o
1
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V
SS
NC
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3
i/o
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5
LCC
PLCC
3855 fhd f03
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