ds05-11411-2e
富士通 半导体
数据s他et
记忆
CMOS
2
×
1 m
×
32-有点
单独 数据 费率 我/f fcram
tm
消费者/嵌入式 应用程序 具体 记忆 用于 sip
mb81es653225-12/-12l
cmos 2-银行
×
1,048,576-字
×
32-有点
快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram) 与 单独 数据 费率 用于 sip
■
描述
这 富士通 mb81es653225 是 一个 单独 数据 费率 接口 快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram*)
包含 67,108,864 记忆 细胞 无障碍 入点 一个 32-有点 格式. 这 mb81es653225 特点 一个 完全 同步-
nous 操作 引用 至 一个 正 边缘 时钟 whereby 全部 运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个
启用 高 业绩 和 简单 用户 接口 coexistence.
这 mb81es653225 是 已利用 使用一个 富士通 高级 fcram 核心 technology 和 设计 用于 低 电源
消费 和 低 电压 操作 比常规 同步 dram (sdram) .
这 mb81es653225 是 专用 用于 sip (系统 入点 一个包装) , 和 理想情况下 适合 用于 各种 嵌入式/
消费者 应用程序 包括 数字 avs 和 image? 加工 在哪里 一个 大型 乐队 宽度 和 低 电源
消费 记忆 是 需要.
* : fcram 是 一个 商标 的 富士通 有限, 日本.
■
产品 线
参数
MB81ES653225
12 12L
时钟 频率 (最大值)
cl
=
2 54.0 mhz
cl
=
3 85.0 mhz
突发 模式 循环 时间 (最小)
cl
=
2 18.5 ns
cl
=
3 11.7 ns
访问权限 时间 从 时钟 (最大值)
cl
=
2 12 ns
cl
=
3 8.7 ns
操作 电流 (最大值) (32 第页 长度) 35 ma
电源 向下 模式 电流 (最大值) 0.5 ma 0.1 ma
自我 刷新 电流 (最大值) (助教
=
+
85
°
c) 1000
µ
A450
µ
一个
: 点此下载
