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AE1E
富士通 半导体
数据 工作表
记忆
CMOS
8 x 256k x 32 有点
双 数据 费率 fcram
tm
mb81n643289-50/-60
cmos 8-银行 x 262,144-字 x 32 有点
快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram)
与 双 数据 费率
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描述
这 富士通 mb81n643289 是 一个 cmos 快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram) 包含 67,108,864
记忆 细胞 无障碍 入点 一个 32-有点 格式. 这 mb81n643289 特点 一个 完全 同步 操作 引用
至 时钟 边缘 由此 全部 运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个 启用 高 业绩 和
简单 用户 接口 coexistence. 这 mb81n643289 是 设计 至 减少 这 复杂性 的 使用 一个 标准
动态 ram (dram) 哪个 需要 许多 控制 信号 计时 约束条件. 这 mb81n643289 用途 双
数据 费率 (ddr) 在哪里 数据 带宽 是 两次 的 快 速度 比较 与 常规 sdrams.
这 mb81n643289 是 设计 使用 富士通 高级 fcram 核心 技术.
这 mb81n643289 是 理想情况下 适合 用于 数字 目视检查 系统, 高 业绩 图形 适配器, 硬件
accelerators, 缓冲区, 和 其他 应用程序 在哪里 大型 记忆 密度 和 高 有效 带宽 是
必填项 和 在哪里 一个 简单 接口 是 需要.
这 mb81n643289 adopts 新建 我/o 接口 电路, 2.5 v cmos 来源 终止 我/o interface, 哪个 是
有能力 的 极其 快 数据 转让 的 质量 下 点 至 点 总线 环境.
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产品 线
通知 : fcram 是 一个 商标 的 富士通 有限, 日本.
参数
MB81N643289
-50 -60
时钟 频率
cl = 3 200 mhz 最大值 167 mhz 最大值
cl = 2 133 mhz 最大值 111 mhz 最大值
突发 模式 循环 时间
cl = 3 2.5 ns 最小 3.0 ns 最小
cl = 2 3.75 ns 最小 4.5 ns 最小
随机 地址 循环 时间 30 ns 最小 36 ns 最小
dqs 访问权限 时间 从 时钟 0.1*t
ck
+ 0.2 ns 最大值 0.1*t
ck
+ 0.2 ns 最大值
操作 电流 450 ma 最大值 385 ma 最大值
电源 向下 电流 35 ma 最大值
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