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formosa microsemi
MM914
formosa ms
1
高-速 切换 二极管
特性
1. 小 表面 挂载 类型
2. 高 可靠性
3. 高 速 (t
rr
=
4 ns)
产品
extreme 快 switches
构建
硅 epitaxialplanar
绝对 最大 比率
T
j
=25
?
参数 测试 情况 标识 值 Un它
repetitive 顶峰 反转 电压  V
RRM
75 V
直流 blocking 电压  V
R
75 V
t=1s I
FSM
1 一个非 repetitive 顶峰 向前 surge
电流
t=1
µ
s I
FSM
 4 毫安
向前 电流  I
F
 300 毫安
平均 调整的 电流 half 波 整流 和
resistive 加载 和 f>50 mhz
I
FAV
 200 毫安
电源 消耗  P
V
 500 mW
接合面 温度  T
j
 175
?
存储 温度 范围  T
stg
 -65~+175
?
最大 热的 阻抗
T
j
=25
?
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mm
×
50mm
×
1.6mm R
thJ一个
500 k/w

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formosa microsemi MM914 formosa ms 1 高-速切换二极管特性 1. 小表面挂载类型 2. 高可靠性 3. 高速 (t rr = 4 ns) 产品 extreme 快 switches 构建硅 epitaxialplanar 绝对最大比率 T j =25 ? 参数测试情况标识值 Un它 repetitive 顶峰反转电压 V RRM 75 V 直流 blocking 电压 V R 75 V t=1s I FSM 1 一个非 repetitive 顶峰向前 surge 电流 t=1 µ s I FSM 4 毫安向前电流 I F 300 毫安平均调整的电流 half 波整流和 resistive 加载和 f>50 mhz I FAV 200 毫安电源消耗 P V 500 mW 接合面温度 T j 175 ? 存储温度范围 T stg -65~+175 ? 最大热的阻抗 T j =25 ? 参数测试情况标识值单位接合面包围的在 pc 板 50mm × 50mm × 1.6mm R thJ一个 500 k/w

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