MMDF2N02E
双 tmos 场效应晶体管
3.6 安培
25 伏特
右
ds(开启)
= 0.1 欧姆
Source–1
1
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6
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Gate–1
Source–2
Gate–2
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
d
s
g
案例 751–05, 风格 11
SO–8
1
摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
中 电源 表面 安装 产品
TMOS 双 n通道
字段 效果 晶体管
MiniMOS
设备 是 一个 高级 系列 的 电源 场效应晶体管s
哪个利用 摩托罗拉’s tmos 流程. 这些 微型 表面
安装场效应晶体管s 功能 超 低 右
ds(开启)
和 真 逻辑 水平
业绩.他们 是 有能力 的 承受 高 能源 入点这
雪崩和 换向 模式 和这 drain–to–source 二极管
有一个 低 反向 回收 时间. minimos 设备 是 设计
用于使用 入点 低 电压, 高 速度 开关 应用程序 在哪里
电源e?fficiency 是 我mportant. typical 一个应用s 一个右e? dc–dc
转换器,一个nd p欠右 management 我n portable? 一个nd battery
通电products such 一个s computers, printers, cellular一个钕
无绳phones. t他y c一个n 一个lso 是 used f或low voltage? motor
控件入点 质量 存储 产品 这样的 作为 磁盘 驱动器 和 胶带
d右我ve?s.the? 一个v一个l一个nche? e?ne?右gy我s spe?c我f我e?d to e?l我m我n在e? the?
guesswork入点 设计 在哪里 归纳 荷载 是 已切换 和报价
附加 安全 边距 反对 意外 电压 瞬变.
•
超 低 右
ds(开启)
提供 较高 效率 和 扩展 蓄电池 生活
•
逻辑 水平 闸门 驱动器 — 可以 是 驱动 由 逻辑 ics
•
微型 so–8 表面 安装 包装 — 保存 板 空间
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
指定 在 高架 温度
•
雪崩 能源 指定
•
安装 信息 用于 so–8 包装 提供
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
25 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续 v
gs
±
20 Vdc
排水管 电流 — 连续 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流— 连续 @ t
一个
= 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
3.6
2.5
18
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(1)
p
d
2.0 w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 20 vdc, v
gs
= 10 vdc, 峰值 我
l
= 9.0 apk, l = 6.0 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
245
mJ
热 电阻, 接合点 至 环境
(1)
右
θ
ja
62.5
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 0.0625
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设备 标记
F2N02
(1) 已安装开启 2” 方块字 fr4 板 (1” sq. 2 盎司. 铜 0.06” 厚 单独 sided) 与 一个 模具 operating, 10 sec. 最大值
订购 信息
设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
MMDF2N02ER2 13
″
12 mm 压花 胶带 2500
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
设计师’s,e–fet 和 minimos 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
订单 这个 文件
由 mmdf2n02e/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1996
rev 5
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