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资料编号:485494
 
资料名称:MMUN2113LT1
 
文件大小: 267.26K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2111lt1 序列
管脚 1
根基
(输入)
管脚 3
集电级
(输出)
管脚 2
发射级
(地面)
R
1
R
2
标记 图解
A6x M
A6x = 设备 标记
x = 一个 – l(看 页 2)
M = 日期 代号
1
3
2
情况 318, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
设备 标记
信息
看 明确的 标记 信息 在
数据 薄板.
MMUN2111LT1
序列

pnp 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的
设备 和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络
consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 根基-发射级
电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少
两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sot-23
包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
Simplifies电路 设计
减少 板 空间
减少 组件 计数
这 所以T-23 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 reflow. 这
修改 gull-winged leads absorb 热的 压力 在 焊接
eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝.
一个vailable 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴. 使用 这 设备 号码
至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴. 替代 “t1” 和 “t3” 在 这
设备 号码 至 顺序 这 13 inch/10,000 单位 卷轴.
最大 r一个TINGS
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
THERMAL特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
246 (便条 1.)
400 (便条 2.)
1.5 (便条 1.)
2.0 (便条 2.)
mW
°
c/w
热的 阻抗 –
接合面-至-包围的
R
θ
JA
508 (便条 1.)
311 (便条 2.)
°
c/w
热的 阻抗 –
接合面-至-含铅的
R
θ
JL
174 (便条 1.)
208 (便条 2.)
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
,T
stg
–55 至 +150
°
C
1. fr–4 @ 最小 垫子
2. fr–4 @ 1.0 x 1.0 inch 垫子
MMUN2111S
-
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