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资料编号:485525
 
资料名称:MMUN2211LT1
 
文件大小: 175.58K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2211lt1 序列
管脚 1
根基
(输入)
管脚 3
集电级
(输出)
管脚 2
发射级
(地面)
R
1
R
2
标记 图解
A6x M
A6x = 设备 标记
x = 一个 – l(看 页 2)
M = 日期 代号
1
3
2
情况 318, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
MMUN2211LT1
序列

和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的
设备 和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络
consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 根基-发射级
电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少
两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sot-23
包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
Simplifies电路 设计
减少 板 空间 和 组件 计数
这 所以T-23 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 reflow. 这
修改 gull-winged leads absorb 热的 压力 在 焊接
eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝.
一个vailable 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴. 使用 这 设备
号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴. 替代 “t1” 和
“t3” 在 这 设备 号码 至 顺序 the13 inch/10,000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
Tot一个lPowerDissipation @ t
一个
=25
°
C
(便条 1.) 减额 在之上 25
°
C
P
D
*200
1.6
mW
mw/
°
C
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1(k) r2(k)
MMUN2211LT1 A8A 10 10
MMUN2212LT1 A8B 22 22
MMUN2213LT1 A8C 47 47
MMUN2214LT1 A8D 10 47
MMUN2215LT1 A8E 10
MMUN2216LT1 A8F 4.7
MMUN2230LT1 A8G 1.0 1.0
MMUN2231LT1 A8H 2.2 2.2
MMUN2232LT1 A8J 4.7 4.7
MMUN2233LT1 A8K 4.7 47
MMUN2234LT1 A8L 22 47
MMUN2235LT1 A8M 2.2 47
MMUN2238LT1 A8R 2.2
MMUN2241LT1 A8U 100
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这
最小 推荐 footprint.
设备 包装 Shipping
订货 信息
MMUN2211LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2212LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2213LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2214LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2215LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2216LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2230LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2231LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2232LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2233LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2234LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2235LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2238LT1 SOT–23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2241LT1 SOT–23
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMUN2211S
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