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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
先进的 信息
HDTMOS e-场效应晶体管
高 密度 电源 场效应晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个先进的 high–cell 密度 hdtmos
E–FET是 设计至
承受高 活力 在 这 avalanche 和 commutation模式.
这个newenergy efficient design 一个lso offers 一个 drain–to–source
二极管w它h 一个 f一个st recovery time. designed for low–voltage,
high–speed切换 产品 在 电源 供应, 转换器
一个d pWm motor controls, 一个nd inductive loads.The一个valanche
活力能力 是 指定 至 eliminate 这guesswork 在 设计
在哪里inductive 负载 是 切换, 和 至 的fer 额外的安全
余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
过激 低 r
ds(在)
, high–cell 密度, hdtmos
•
额外的刺激 参数 有
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
avalanche 活力 指定
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
25 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
25 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10 ms)
V
GS
±
15
±
20
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
— 持续的 @ 100
°
C
— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
75
59
225
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
P
D
150
1.0
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 5.0 vdc, i
L
= 75 apk, l = 0.1 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
280 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.0
62.5
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
这个文档 包含 信息 在 一个 新 产品. 规格 和 信息 在此处 是 主题 至 改变 没有 注意.
E–FET和 hdtmos 是 商标 的 motorola, 公司
tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 2
顺序 这个 文档
用 mtp75n03hdl/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
MTP75N03HDL
tmos 电源 场效应晶体管
逻辑 水平的
75 amperes
R
ds(在)
= 9.0 mohm
25 伏特
motorola preferred 设备
D
S
G
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
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