PIN3
收集器
(输出)
PIN1
发射器
(接地)
PIN2
底座
(输入)
R1
R2
1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 安装 晶体管 与
单片 偏差 电阻 网络
这个新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独 设备 和 其
外部电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 transistor) 包含 一个 单独
晶体管与 一个 单片偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻和 一个 base–emitter 电阻. 这 brt 消除 这些 个人 组件
由集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这 使用 的 一个 brt 可以 减少 两者都有 系统
成本和 板 空间. 这 设备 是 已安置 入点 这 sc–59 包装 哪个 是 设计
用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
•
简化了 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc–59 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或 回流.
这 已修改 gull–winged 导联 吸收 热 应力 期间
焊接 消除 这 可能性 的 损伤 至 这 模具.
•
可用 入点 8 mm 压花 胶带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 订单 这 7 英寸/3000 单位 卷轴.
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
collector–base 电压 v
CBO
50 Vdc
collector–emitter 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流 我
c
100 mAdc
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(1)
降额 以上 25
°
c
p
d
*200
1.6
mW
mw/
°
c
热 特性
热电阻 — junction–to–ambient (表面 已安装) 右
θ
ja
625
°
c/w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–65 至 +150
°
c
最大值 t温度 用于 焊接 目的,
时间 入点 焊料 浴缸
t
l
260
10
°
c
秒
设备 标记 和 电阻 数值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
(2)
8A
8B
8C
8D
8E
10
22
47
10
10
10
22
47
47
∞
MUN2216T1
(2)
MUN2230T1
(2)
MUN2231T1
(2)
MUN2232T1
(2)
MUN2233T1
(2)
MUN2234T1
(2)
8F
8G
8H
8J
8K
8L
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1. 设备 已安装 开启 一个 fr–4 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 使用 这 最小值 推荐 占地面积.
2. 新建 设备. 已更新 曲线 至 跟着 入点 后续 数据 床单.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mun2211t1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
摩托罗拉 首选 设备
案例 318d–03, 风格 1
(sc–59)
MUN2211T1
se?右我e?s
2
1
3
摩托罗拉, 公司 1996
rev 4
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