半导体 组件 行业, llc, 2005
january, 2005
−
rev. 14
出版物 订单 号码:
mun2111t1/d
1
mun2111t1 系列
首选 设备
偏差 电阻 晶体管
pnp 硅 表面 安装 晶体管
与 单片 偏差 电阻 网络
这个 新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独
设备 和 其 外部 电阻 偏差 网络. 这
偏差 电阻 晶体管 (brt) 包含 一个 单独 晶体管 与 一个
单片 偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻 和 一个 底座
−
发射器 电阻. 这 brt 消除 这些
个人 组件 由 集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这
使用 的 一个 brt 可以 减少 两者都有 系统 成本 和 板 空间. 这 设备
是 已安置 入点 这 sc
−
59 包装 哪个 是 设计 用于 低 电源
表面 安装 应用程序.
•
简化了 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
水分 灵敏度 水平: 1
•
esd 评级
−
人类 车身 型号: 类 1
esd 评级
−
机器 型号: 类 b
•
这 sc
−
59 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或 回流.
这 已修改 海鸥
−
winged 导联 吸收 热 应力 期间
焊接 消除 这 可能性 的 损伤 至 这 模具.
•
铅
−
免费 包装 是 可用
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
收集器
−
底座 电压 v
CBO
50 Vdc
收集器
−
发射器 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流 我
c
100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
230 (备注 1)
338 (备注 2)
1.8 (备注 1)
2.7 (备注 2)
mW
°
c/w
热 电阻
−
接合点
−
至
−
环境
右
ja
540 (备注 1)
370 (备注 2)
°
c/w
热 电阻
−
接合点
−
至
−
铅
右
JL
264 (备注 1)
287 (备注 2)
°
c/w
接合点 和 存储
温度 范围
t
j
, t
stg
−
55 至 +150
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. 右前
−
4 @ 最小值 衬垫.
2. 右前
−
4 @ 1.0 x 1.0 英寸 衬垫.
sc
−
59
案例 318d
塑料
标记 图表
管脚 3
收集器
(输出)
管脚 1
发射器
(接地)
管脚 2
底座
(输入)
R1
R2
2
1
3
6x m
请参见 详细 订购 和 装运 信息 开启 第页 2 的
这个 数据 工作表.
订购 信息
*see 设备 标记 表 开启 第页 2 的 这个 数据 工作表.
设备 标记 信息
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
6x = 具体 设备 code*
m = 日期 代码
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