技术的 数据
npn 高 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/384
设备 qualified 水平的
2N3584 2N3585
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率
Symbol
2N3584
2N3585
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
250 300 Vdc
Collect或者-根基 电压
V
CBO
375 500 Vdc
集电级-根基 电压
V
CER
300 400 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
6.0 Vdc
根基 电流 I
B
1.0 模数转换器
集电级 电流
I
C
2.0 模数转换器
总的 电源 消耗@ t
一个
= +25
0
C
(1)
@ t
C
=+25
0
C
(2)
P
T
2.5
35
W
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
J
,
T
stg
-65 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
5.0
0
c/w
1)减额 成直线地 @ 14.85 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
2)Derate 成直线地 @ 200 mw/
0
c 为 t
C
> +25
0
C
至-66* (至-213aa)
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
C
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 breakdown 电压
I
C
= 10 madc2N3584
2N3585
V
(br)
CEO
250
300
Vdc
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 15 madc2N3584
2N3585
V
(br)
CER
375
500
Vdc
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 150 vdc
I
CEO
5.0
mAdc
集电级-发射级 cutoff 电流
V
CE
= 300 vdc, v
是
= 1.5 vdc2N3584
V
CE
= 400 vdc, v
是
= 1.5 vdc2N3585
I
CEX
1.0
1.0
mAdc
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 6.0 vdc
I
EBO
0.5
mAdc
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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2n3584, 2n3585 jan 序列
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