STP5NB80
STP5NB80FP
N - 频道 800V - 1.8
Ω
- 5A - 至-220/至-220fp
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 1.8
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY
处理, 意法半导体 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 MOSFETs 和
优秀的 performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 rds(在) 每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
January 1999
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
STP5NB80 STP5NB80FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 800 V
V
DGR
流- gate 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
800 V
V
GS
门-源 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (内容inuous) 在 T
c
=25
o
c55(*)一个
I
D
流 电流 (内容inuous) 在 T
c
= 100
o
C 3.2 3.2(*) 一个
I
DM
(
•
) 流 电流 (pulsed) 20 20 一个
P
tot
Total 消耗 在 T
c
=25
o
C 110 40 W
Derating Fact或者 0.88 0.32 W/
o
C
dv/dt(
1
) Peak 二极管 恢复 电压 斜度 4 4 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 V
T
stg
存储 Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 Temperature 150
o
C
(*) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许 (
1
)i
SD
≤
5a, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP5NB80
STP5NB80FP
800 V
800 V
<2.2
Ω
<2.2
Ω
5A
5A
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