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资料编号:514655
 
资料名称:NESG250134
 
文件大小: 706.62K
   
说明
 
介绍:
NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NESG250134
nec's npn sige rf 晶体管
为 中等 输出 电源
放大器 (800 mw)
3-管脚 电源 minimold (34 包装)

这个 产品 是 合适的 为
中等 输出 电源 (800 mw) 放大器
P
O
= 29 dbm 典型值 @ v
CE
= 3.6 v, p
= 15 dbm, f = 460 mhz
P
O
= 29 dbm 典型值 @ v
CE
= 3.6 v, p
= 20 dbm, f = 900 mhz
最大 稳固的 增益:
MSG
= 23 db 典型值 @ v
CE
= 3.6 v, i
C
= 100 毫安, f = 460 mhz
sige 技术:
uhs2-hv 处理
绝对 最大 比率:
V
CBO
= 20 v
3-管脚 电源 minimold (34 包装)
特性
订货 信息
Remark
至 顺序 evaluation 样本, 联系 your nearby 销售 office.
单位 样本 quantity 是 25 pcs.
绝对 最大 比率
(t
一个
=+25ºc)
便条
挂载 在 34.2 cm
2
×
0.8 mm (t) glass 环氧的 pwb
部分 号码 顺序 号码 包装 QUANTITY 供应 表格
nesg250134-az nesg250134-az 3-管脚 电源 minimold
(铅-自由)
Note1
25 pcs (非 卷轴) • 12 mm 宽 压印浮凸 taping
• 管脚 2 (发射级) 面向 这 perforation 一侧 的 这 录音带
nesg250134-t1-az nesg250134-t1-az 1 kpcs/卷轴
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
20 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
9.2 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
2.8 V
集电级 电流 I
C
500 毫安
总的 电源 消耗 P
tot
便条
1.5 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
65 至 +150
°
C
提醒 注意到 预防措施 当 处理 因为 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放.
便条
1. 包含 含铅的 在 这 部分 除了 这 electrode terminals.
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