半导体 组件 industries, llc, 2004
march, 2004 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
nl27wz16/d
NL27WZ16
双 缓存区
这 nl27wz16 是 一个 高 效能 双 缓存区 运行 从 一个
1.65 至 5.5 v 供应. 在 v
CC
= 3 v, 高 阻抗 ttl 兼容
输入 significantly 减少 电流 加载 至 输入 驱动器 当 ttl
兼容 输出 提供 改进 切换 噪音 效能.
•
极其 高 速: t
PD
2.0 ns (典型) 在 v
CC
= 5.0 v
•
设计 为 1.65 v 至 5.5 v v
CC
运作
•
在 电压 tolerant 输入
•
lvttl 兼容 − 接口 能力 和 5.0 v ttl 逻辑
和 v
CC
= 3.0 v
•
lvcmos 兼容
•
24 毫安 保持平衡 输出 下沉 和 源 能力
•
near 零 静态的 供应 电流 substantially 减少 系统
电源 (所需的)东西
•
碎片 complexity: 场效应晶体管 = 72; 相等的
门 = 18
V
CC
在 a1
输出 y1
地
在 a2
输出 y2
1
图示 1. 引脚
(顶 视图)
图示 2. 逻辑 标识
在 a2
输出 y2
1
输出 y1
在 a1
管脚 分派
1
2
3in a2
在 a1
地
4
5V
CC
输出 y2
输出 y16
函数 表格
L
H
一个 输入 Y输出
L
H
1
2
34
5
6
http://onsemi.com
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 4 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
标记
图解
sc−88 / sot−363/sc−70
df 后缀
情况 419b
1
d = 日期 代号
MR
d
tsop−6/sot−23/sc−59
dt 后缀
情况 318g
1
d = 日期 代号
MR
d