半导体 组件 industries, llc, 2004
july, 2004 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
ntr1p02lt1/d
NTR1P02LT1
电源 场效应晶体管
−20 v, −1.3 一个, p−channel
sot−23 包装
这些 小型的 表面 挂载 mosfets 低 r
ds(在)
使确信
minimal 电源 丧失 和 conserve 活力, 制造 这些 设备 完美的
为 使用 在 空间 敏感的 电源 管理 电路系统. 典型
产品 是 dc−dc 转换器 和 电源 管理 在 可携带的
和 battery−powered 产品 此类 作 计算机, printers, pcmcia
cards, cellular 和 cordless telephones.
特性
•
低 r
ds(在)
提供 高等级的 效率 和 extends 电池 生命
•
小型的 sot−23 表面 挂载 包装 saves 板 空间
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−20 V
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
12 V
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
≤
10
s)
I
D
I
DM
−1.3
−4.0
一个
一个
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
400 mW
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
− 55 至
150
°
C
热的 阻抗 − junction−to−ambient R
JA
300
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, (1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
D
G
S
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTR1P02LT1 SOT−23 3000 录音带 &放大; 卷轴
P−Channel
NTR1P02LT3 SOT−23 10,000 录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
NTR1P02LT3G SOT−23
(pb−free)
10,000 录音带 &放大; 卷轴
−20 v 220 m
R
ds(在)
最大值
−1.3 一个
I
D
最大值V
(br)dss
SOT−23
情况 318
样式 21
标记 图解/
管脚 分派
2
PO2 = 明确的 设备 代号
W = 工作 week
3
1
3
流
1
门
2
源
PO2W
NTR1P02LT1G SOT−23
(pb−free)
3000 录音带 &放大; 卷轴