半导体 组件 industries, llc, 2004
july, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
ntr1p02t1/d
NTR1P02T1
电源 场效应晶体管
−20 v, −1 一个, p−channel sot−23 包装
特性
•
过激 低 on−resistance 提供 高等级的 效率
和 extends 电池 生命
R
ds(在)
= 0.180
, v
GS
= −10 v
R
ds(在)
= 0.280
, v
GS
= −4.5 v
•
电源 管理 在 可携带的 和 battery−powered 产品
•
小型的 sot−23 表面 挂载 包装 saves 板 空间
•
挂载 信息 为 sot−23 包装 提供
产品
•
dc−dc 转换器
•
计算机
•
Printers
•
pcmcia cards
•
cellular 和 cordless telephones
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−20 V
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
20 V
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
≤
1
s)
I
D
I
DM
−1.0
−2.67
一个
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
400 mW
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
− 55 至
150
°
C
热的 阻抗 − junction−to−ambient R
JA
300
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, (1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
D
G
S
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTR1P02T1 SOT−23 3000/录音带 &放大; 卷轴
P−Channel
NTR1P02T3 SOT−23 10,000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
−20 v 148 m
@ −10 v
R
ds(在)
典型值
−1.0 一个
I
D
最大值V
(br)dss
SOT−23
情况 318
样式 21
标记 图解/
管脚 分派
2
P2 = 明确的 设备 代号
W = 工作 week
3
1
3
流
1
门
2
源
P2W
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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