gaalas infrared 发射级
OPE5794
这
OPE5794
是 gaalas infrared 发出 二极管 维度 (单位:mm)
那 是 设计 为 高 radiant 强烈 和
低 向前 电压 .这个 设备是 优化 为 效率
在 emission wavelength 940nm 和 有 一个 高 radiant
效率 在 一个 宽范围 的 向前 电流.
这个 设备 是 packaged t1 塑料 包装
和 有 中等 beam 角度 和 lensed 包装
和 cup 框架
特性
•
高-输出 电源
•
中等 beam 角度
•
有 为 脉冲波 运行
产品
•
视力的 emitters
•
视力的 switches
•
smoke 传感器
•
ir 偏远的 控制
•
ir 声音 传递
* 请 引领 恰当的 步伐 在 顺序 至 secure 可靠性 和 安全 在 必需的 情况 和 环境
为 这个 设备.
最大 比率
(ta=25
°
c )
Item 标识 比率 单位
电源 消耗 P
D
80
向前 电流 I
F
60
脉冲波 向前 电流
1
I
FP
0.8 一个
反转 电压 V
R
5.0
运行 温度 topr. -20~ +70
°
C
存储 温度 tstg. -20~ +80
°
C
Solderingtemp.
2
tsol. 240
.
°
C
1
.职责 比率 = 1/100, 脉冲波 宽度=0.12ms.
2
.含铅的 焊接 温度 (2
mm
从 情况 为 5sec.).
electro-opticalcharacteristics
(ta=25
°
c)
Item 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
=40ma 1.2 1.5 v
反转 电流 I
R
V
R
= 5v 10
µ
一个
电容 Ct f = 1
MHz
20
pF
radiant 强烈 Ie I
F
=40ma 20 mw/
顶峰 emission wavelength
p
I
F
= 40ma 940
nm
谱的 带宽 50% I
F
= 40ma 45
nm
half 角度 I
F
=40mA
±
17 deg.
Anode
Cathode
2.5
2- 0.5
23.0 最小值
2.0
0.8 最大值
3.0
0.3
5.4
4.6
3.8
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