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gaas infrared 发射级
OPE5294
这
OPE5294
是 gaas infrared 发出 二极管 维度 (单位 : mm)
那 是 设计 为 低 向前 电压 和
高 可靠性. 这个 设备 是 优化 为 效率
在 emission wavelength 940nm 和 有 一个 高 radiant
效率 在 一个 宽 范围 的 向前 电流.
这个 设备 是 packaged t1-
3/4
塑料 包装
和 有 宽 beam 角度 和 lensed 包装
和 cup 框架.
特性
•
高-输出 电源
•
宽 beam 角度
•
高 可靠性
•
有 为 脉冲波 运行
•
低 费用
产品
•
视力的 emitters
•
视力的 switches
•
smoke 传感器
•
ir 偏远的 控制
•
ir 声音 传递
存储
•
情况 : 5
°
C~35
°
c,r.h.60%
•
条款 : 在里面 3 months 从 生产 日期
•
remark : once 这 包装 是 opened, 这 产品 应当 是 使用 在里面 一个 日.
否则, 它 应当 是 keeping 在 一个 damp proof 盒 和 desiccants.
* 请 引领 恰当的 步伐 在 顺序 至 secure 可靠性 和 安全 在 必需的 情况 和 环境
为 这个 设备.
最大 比率
(ta=25
°
c )
Item 标识 比率 单位
电源 消耗 P
D
150
向前 电流 I
F
100
脉冲波 向前 电流
1
I
FP
1.0 一个
反转 电压 V
R
5.0
运行 温度 topr. -25~ +85
°
C
Solderingtemp.
2
tsol. 260
.
°
C
1
.职责 比率 = 1/100, 脉冲波 宽度=0.1ms.
2
.含铅的 焊接 温度 (2
mm
从 情况 为 5sec.).
electro-opticalcharacteristics
(ta=25
°
c)
Item 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
=100ma 1.4 1.7 v
反转 电流 I
R
V
R
= 5v 10
µ
一个
电容 Ct f = 1
MHz
20
pF
radiant 强烈 Ie I
F
=100ma 30 mw/
顶峰 emission wavelength
p
I
F
= 50ma 940
nm
谱的 带宽 50%
I
F
= 50ma 45
nm
half 角度
I
F
=100mA
±
22 deg.
2-
0.5
24.0 最小值
2.5
2.0
Anode
Cathode
8.7
7.7
1.3 最大值
5.7
5.0
容忍 :
±
0.2mm
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