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资料编号:536318
资料名称:
P75N02LS
文件大小: 45.62K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
8月-02-2001
n-频道 逻辑 水平的 增强
模式 地方 效应 晶体管
P75N02LS
至-263
(d
2
PAK
)
niko-sem
绝对 最大 比率 (t
C
= 25 °c 除非 否则 指出)
参数/测试 情况
标识
限制
单位
门-源 电压
V
GS
±20 v
T
C
= 25 °c
75
持续的 流 电流
T
C
= 100 °c
I
D
50
搏动 流 电流
1
I
DM
170
avalanche 电流
I
AR
60
一个
avalanche 活力
l = 0.1mh
E
作
140
repetitive avalanche 活力
2
l = 0.05mh
E
AR
5.6
mJ
T
C
= 25 °c
65
电源 消耗
T
C
= 100 °c
P
D
38
W
运行 接合面 &放大; 存储 温度 范围
T
j
, t
stg
-55 至 150
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.)
T
L
275
°C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗
标识
典型
最大
单位
接合面-至-情况
R
θ
JC
2.3
接合面-至-包围的
R
θ
JA
62.5
情况-至-散热器
R
θ
CS
0.6
°c / w
1
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2
职责 循环
≤
1
%
电的 特性 (t
C
= 25 °c, 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况
最小值 典型值
最大值
单位
静态的
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个
25
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1 1.5
3
V
门-身体 泄漏
I
GSS
V
DS
= 0v, v
GS
= ±20v
±250
nA
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v
25
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v, t
J
= 125 °c
250
µ
一个
1. 门
2. 流
3. 源
产品 summary
V
(br)dss
R
ds(在)
I
D
25
5m
Ω
75A
G
D
S
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